1．提取电源网格的寄生电阻；
2．建立电源网格的电阻矩阵；
3．计算与电源网格相连的每个电阻或门的平均电流；
4．根据晶体管或门的物理位置，将平均电流分配到电阻矩阵中；
5．在每个VDD I/O引脚上将VDD源应用到矩阵；
6．利用静态矩阵解决方案计算流经电阻矩阵的电流和IR压降；
由于静态分析法假设VDD和VSS之间的去耦电容足够滤除IR压降或地线反弹的动态峰值，因此其结果非常接近电源网格上动态转换的效果。
静态分析法的主要价值体现在简单和全面覆盖。由于只需要电源网格的寄生电阻，因此提取的工作量非常小。而且每个晶体管或门都提供对电源网格的平均负载，因此该方法能够全面覆盖电源网格，但它的主要挑战在于精度。静态分析法没有考虑本地动态效应和封装传导效应(Ldi/dt)，如果电源网格上没有足够的去耦电容，那么这二者都会导致进一步的IR压降和地线反弹。
