图1 示波器上显示的由于60Hz充电电流引起的共模扼流圈的降级
如果共模扼流圈达到饱和,那么在输入浪涌增加时,发射将会增加。如果共模扼流圈达到强饱和,发射强度与不加滤波器时的情况是一样的,也就是说很容易达到40dB以上。
这些实验数据可用其他方法来解释。发射最小值(线电流为0的时候)是滤波器无偏置电流时表现出来的效果。峰值发射与最小发射的比率,即降级因子,用来衡量线电流偏移量对滤波器实际效果的影响。降级因子较大表明共模扼流圈磁芯完全没有得到恰当的使用,较好的滤波器的“固有降级因子”差不多在2—4之间。它是由两种现象产生的:第一,60Hz充电电流引起的电感减小(如上所述);第二,桥式整流器的正向及反向导通。共模发射的等效电路由一个阻抗约为200pF的电压源、二极管阻抗和LISN的共模阻抗组成,如图2所示。当桥式整流器正向偏置时,在源阻抗、25和LISN共模阻抗之间会产生分压现象。当桥整流器反向偏置时,在源阻抗、整流桥反偏电容、LISN之间产生分压现象。当二极管整流桥反向偏置电容较小时,对共模滤除有一定效果。当整流桥正向偏置时则对共模滤除没有影响。
图2 共模辐射等效电路
由于产生了分压,固有降级因子的预期值为2左右。实际值的变化相当大,主要取决于源阻抗和二极管整流桥反向偏置电容的实际大小。在Flugan发明的一个电路中,正是应用这个原理来减小镇流器的传导发射的。